2021年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展前景分析
發(fā)布時(shí)間：2020-12-23 16:05:26 點(diǎn)擊次數(shù)：287
近來(lái)，在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的生產(chǎn)能力趨緊的背景下，半導(dǎo)體晶圓的制造，封裝，組件等環(huán)節(jié)已開(kāi)始提價(jià)。目前，功率半導(dǎo)體行業(yè)的平均增長(zhǎng)率為5％-10％，有些產(chǎn)品的增長(zhǎng)率甚至更高。“貨品緊缺嚴(yán)重，并且不排除會(huì)有更多的增長(zhǎng)。在2021年，H1的訂單已滿，甚至預(yù)定到明年年底。
作為一個(gè)大制造國(guó)，我們的功率半導(dǎo)體器件被廣泛用于工業(yè)，消費(fèi)，軍事等領(lǐng)域，并具有較高的戰(zhàn)略性地位，功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用于下游，功率器件基本上被用于關(guān)乎電力系統(tǒng)的任何地方。下游應(yīng)用領(lǐng)域可分成幾個(gè)部分：消費(fèi)電子，新能源汽車，可再造能源發(fā)電和電網(wǎng)，軌道交通，白色家用電器，工業(yè)控制，市場(chǎng)規(guī)模呈平穩(wěn)增長(zhǎng)趨向。針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)面，人們選取用到相應(yīng)的功率器件和基板。
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)
功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體工業(yè)中的舉足輕重領(lǐng)域，它是與高鐵電力系統(tǒng)，汽車電力系統(tǒng)，消費(fèi)電子和通信電子系統(tǒng)能否實(shí)現(xiàn)獨(dú)立自主可控性相關(guān)的基本組成部分。定位及其在多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用繼續(xù)贊成我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。與此同時(shí)，中國(guó)也是世界上最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)。2018年，市場(chǎng)需求達(dá)到138億美元，增長(zhǎng)率為9.5％，占全球需求的35％，預(yù)計(jì)中國(guó)powersemiconductor未來(lái)將繼續(xù)保持較高的增長(zhǎng)率。到2021年，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到159億美元，年增長(zhǎng)率為4.8％。
電源管理IC市場(chǎng)份額超過(guò)60％
從市場(chǎng)構(gòu)造來(lái)看，電源管理IC，MOSFET和IGBT聯(lián)合占據(jù)了95％的市場(chǎng)份額，其中電源管理ic市場(chǎng)占61％，所占比重最大，其中MOSFET和IGBT分別具備20％和14％的市場(chǎng)份額。由于近年來(lái)下游消費(fèi)電子，新能源汽車和通信行業(yè)的快速發(fā)展，電源管理ic市場(chǎng)近年來(lái)保持了安定的增長(zhǎng)趨向。。截至2018年，中國(guó)電源管理ic的市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到84.3億美元，同時(shí)，隨著未來(lái)新能源汽車行業(yè)的快速發(fā)展，MOSFET和IGBT也將迎來(lái)新的發(fā)展在空曠的增長(zhǎng)空間中。
MOSFET，IGBT未來(lái)五年強(qiáng)大增長(zhǎng)
MOSFET全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可廣泛用于模擬和數(shù)字電路。MOSFET具有高頻，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)便，耐擊穿性好等特征，其應(yīng)用范圍包含許多領(lǐng)域，例如電源管理，電腦和外圍設(shè)備，通信，消費(fèi)電子，汽車電子，工業(yè)控制等。
IGBT全名絕緣柵雙極晶體管是由雙極晶體管BJT和MOSFET。IGBT構(gòu)成的復(fù)合全然受控電壓驅(qū)動(dòng)功率器件，是新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的基本組件。成本占新能源汽車成本的10％和充電樁成本的20％。由于新興市場(chǎng)的快速發(fā)展，例如新能源汽車/chargetube在未來(lái)幾年中，@等半導(dǎo)體功率器件nz@將迎來(lái)一個(gè)金子發(fā)展時(shí)代。
對(duì)于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，大多數(shù)分立器件產(chǎn)品（如功率二極管，功率晶體管和晶閘管）已本地化，而分立器件產(chǎn)品（如MOSFET和IGBT）由于其先進(jìn)的技術(shù)和工藝而相對(duì)較大。一定程度的進(jìn)口，并且還有大量替代進(jìn)口的空間。未來(lái)，MOSFET和IGBT將是未來(lái)5年強(qiáng)大增長(zhǎng)的半導(dǎo)體功率器件。
功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展前途
1.國(guó)家政策的大力贊同
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是國(guó)家鼓勵(lì)的著重產(chǎn)業(yè)。為協(xié)助該行業(yè)透徹發(fā)展，國(guó)家有關(guān)部門相繼出臺(tái)了多項(xiàng)行業(yè)扶持政策，為我國(guó)半導(dǎo)體元件公司的發(fā)展創(chuàng)造了不錯(cuò)的政策環(huán)境。我國(guó)半導(dǎo)體分立器件相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件研發(fā)和生產(chǎn)能力的提高，是我國(guó)成為世上半導(dǎo)體制造超級(jí)大國(guó)的唯一途徑。國(guó)家有關(guān)部門早已出臺(tái)了“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃等政策，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了政策保障，明確了發(fā)展方向。
2.廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，下游產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)市場(chǎng)需求
近年來(lái)，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)，智能手機(jī)和平板微電腦等新技術(shù)和產(chǎn)品的爆炸式增長(zhǎng)促進(jìn)了消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)分立器件產(chǎn)品的大規(guī)模需求。汽車電子，工業(yè)電子的安定增長(zhǎng)通訊裝置等領(lǐng)域也為分立器件產(chǎn)品提供了安定的市場(chǎng)需求。未來(lái)，得益于國(guó)民經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型升級(jí)和新能源物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的應(yīng)用，下游市場(chǎng)隨著新能源汽車/充電樁的發(fā)展，智能裝置制造物聯(lián)網(wǎng)和光伏新能源將產(chǎn)生大量的產(chǎn)品需求。
3.不停提高技術(shù)程度
經(jīng)過(guò)我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近十年的技術(shù)積累，具有研發(fā)和生產(chǎn)高科技，高質(zhì)量的能力的公司不停涌現(xiàn)，越來(lái)越多的優(yōu)秀公司加入了全球供應(yīng)體系。隨著芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)技術(shù)水準(zhǔn)的提高，只有具有一定研發(fā)投入和較高研發(fā)實(shí)力的公司才能保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，并在下游需求的快速增長(zhǎng)中占據(jù)較高的市場(chǎng)地位。
4.進(jìn)口替代效應(yīng)繼續(xù)凸顯
近年來(lái)，中國(guó)政府不停出臺(tái)一系列鼓勵(lì)政策來(lái)大力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。隨著國(guó)內(nèi)公司逐漸參與全球市場(chǎng)供應(yīng)體系以及下游產(chǎn)業(yè)大力創(chuàng)新的推動(dòng)，國(guó)內(nèi)公司逐漸積累在半導(dǎo)體研發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)方面經(jīng)驗(yàn)豐富。一些優(yōu)秀的公司加入了中高端市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)并獲取了成功。一定的知名度和市場(chǎng)占有率。未來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)逐漸突破行業(yè)高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，我國(guó)功率半導(dǎo)體對(duì)進(jìn)口的依存度將更進(jìn)一步弱化，進(jìn)口替代效應(yīng)將大大提高。
