產(chǎn)能緊缺+價(jià)格上漲，功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)
發(fā)布時(shí)間：2020-12-23 16:21:09 點(diǎn)擊次數(shù)：227
最近幾個(gè)月，“缺貨”和“價(jià)錢(qián)上漲”已成為半導(dǎo)體行業(yè)中最常見(jiàn)的關(guān)鍵詞。尤為是上游晶圓代工廠和封裝測(cè)試工廠的產(chǎn)能短缺和價(jià)位上漲，引致許多下游功率半導(dǎo)體器件，模擬芯片和MCU出現(xiàn)產(chǎn)能短缺和價(jià)錢(qián)上漲。最近，有據(jù)稱(chēng)稱(chēng)一汽大眾和上汽大眾由于缺失內(nèi)核而處于停產(chǎn)危機(jī)中。對(duì)于汽車(chē)電子行業(yè)，以IGBT和MOSFET表示的功率半導(dǎo)體的電流供應(yīng)也受到很大干擾。平均增長(zhǎng)率已超過(guò)10％-20％，有些產(chǎn)品的增長(zhǎng)率甚至更高。目前，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要被英飛凌和安森美等外國(guó)制造商攻占。但是，由于市場(chǎng)短缺和價(jià)位上漲，這也為國(guó)內(nèi)替代帶來(lái)了新的機(jī)遇。
1.強(qiáng)大的下游需要促進(jìn)了功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)
1.功率半導(dǎo)體被廣泛使用并具有遼闊的市場(chǎng)空間
功率半導(dǎo)體被廣泛使用。功率半導(dǎo)體可以在功率變換，功率放大，功率開(kāi)關(guān)，線(xiàn)路保護(hù)和整流中發(fā)揮效用，其下游應(yīng)用十分廣泛，幾乎在所有電子制造業(yè)中都獲得使用。傳統(tǒng)應(yīng)用包括消費(fèi)電子，網(wǎng)絡(luò)通信，電子裝置隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展和技術(shù)的不停進(jìn)步，新能源汽車(chē)和充電樁，智能裝置制造，物聯(lián)網(wǎng)，新能源發(fā)電，軌道交通等新興應(yīng)用更為成為電力的主要應(yīng)用半導(dǎo)體市場(chǎng)促進(jìn)了對(duì)功率半導(dǎo)體需要的迅速增長(zhǎng)。功率半導(dǎo)體可分成二極管，@nz和晶體管。
1）功率二極管具有簡(jiǎn)便的構(gòu)造和單向?qū)щ娦?，已廣泛用于消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中。
2）晶閘管體積小，可靠性高，主要用于高壓直流輸電和軌道交通。
3）晶體管可更進(jìn)一步分類(lèi)為MOSFET\移動(dòng)電源\igbt.bjt，具有導(dǎo)通壓減小，電流放大和開(kāi)關(guān)特性，常用于家電和開(kāi)關(guān)電路。MOSFET具有igbt具有易驅(qū)動(dòng)特性和超高頻特性，主要用于手機(jī)充電器，BJT，汽車(chē)導(dǎo)航等。igbt具有mosfet的高輸入阻抗和雙極晶體管bjt的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，開(kāi)關(guān)速度快，易驅(qū)動(dòng)，高頻率，低損耗，一般而言用于600v以上的大功率裝置，如電動(dòng)汽車(chē)，充電樁，逆變器等
