應(yīng)對“更高”存儲器件的ALD填充技術(shù)

發(fā)布時間：2021-04-02 17:16:49 點擊次數(shù)：192

對3D NAND、DRAM和邏輯芯片制作商來說，高深寬比雜亂架構(gòu)下的填隙一向是一大難題。

　　對此，泛林集團副總裁兼電介質(zhì)原子層堆積(ALD)產(chǎn)品總經(jīng)理Aaron Fellis介紹了Striker?FE增強型ALD渠道將如何以其高功能推進(jìn)技能路線圖的開展。

　　堆積技能是推進(jìn)存儲器材進(jìn)步的要害要素。但跟著3D NAND倉庫的呈現(xiàn)，現(xiàn)有填充辦法的局限性已開端凸顯。

　　泛林集團去年推出的Striker?FE增強版原子層堆積(ALD)渠道可解決3D NAND和DRAM范疇的半導(dǎo)體制作難題。該渠道選用了被稱為“ICEFill”的先進(jìn)電介質(zhì)填充技能，可用于先進(jìn)節(jié)點下的3D NAND和DRAM架構(gòu)以及邏輯器材。泛林集團副總裁兼電介質(zhì)ALD產(chǎn)品總經(jīng)理Aaron Fellis指出，填充相關(guān)技能的需求一向存在，但原有的那些辦法已不能滿意新的需求，尤其是3D NAND倉庫越來越高。他表明：“除了堆疊層數(shù)十分高以外，為了能整合不同步驟，還要經(jīng)過刻蝕來滿意不同的特征需求。我們需要用介電資料重新進(jìn)行填充，這種資料中常見的則是氧化硅。”

　　Fellis指出，化學(xué)氣相堆積、擴散/熔爐和旋涂工藝等半導(dǎo)體制作職業(yè)一向以來運用的傳統(tǒng)填充辦法總要在質(zhì)量、縮短率和填充率之間權(quán)衡取舍，因此已無法滿意3D NAND的生產(chǎn)需求，“這些技能往往會縮短并導(dǎo)致構(gòu)建和設(shè)計的實際結(jié)構(gòu)變形”。

　　由于穩(wěn)定、能耐受各種溫度且具備杰出的電功能，氧化硅仍然是填隙的資料，但其堆積技能已經(jīng)有了改變。以泛林集團的Striker ICEFill為例，該方案選用泛林獨有的外表改性技能，可以完成高選擇性自下而上的無縫填充，并一起能保持原子層堆積(ALD)固有的成膜質(zhì)量。

　　Fellis表明：“規(guī)范ALD技能能大幅提高堆積后的成膜質(zhì)量，這樣就解決了縮短的問題。”

　　選用ICEFill先進(jìn)電介質(zhì)填隙技能的Striker?FE增強版原子層堆積渠道可用于3D NAND和DRAM架構(gòu)的填充

　　在Fellis看來，即便能經(jīng)過高密度資料完成杰出的內(nèi)部機械完整性，規(guī)范ALD仍或許導(dǎo)致某些器材中呈現(xiàn)空隙，并且其延展性或許呈現(xiàn)問題。而選用自下而上填充的ICEFill則能完成十分高質(zhì)量的內(nèi)部成膜且不會縮短。“它的可延展性十分高。”他表明，這意味著可用其滿意任何步驟的填充需求，包含用于提高機械強度和電功能等，“在所制作的器材內(nèi)部某一特定空隙中，填充資料都具有一致的特性。”

　　用于存儲器材的堆積技能有自己的路線圖，而推進(jìn)其開展的各種存儲技能進(jìn)步也一起決定了現(xiàn)有技能的“保質(zhì)期”，Fellis表明，“技能將向更高和更小開展”。預(yù)料到3D NAND倉庫增高帶來的挑戰(zhàn)，泛林集團早已開端著手改進(jìn)其Striker產(chǎn)品。他說：“跟著客戶按自己的路線圖開展，我們看到他們需要提高成膜功能的需求。堆疊依然是立異的推進(jìn)力。”

　　美國半導(dǎo)體工業(yè)調(diào)查公司VLSI Research總裁Risto Puhakka表明，作為ALD技能的主導(dǎo)者，泛林集團的技能需求反映了存儲職業(yè)的遍及需求，即經(jīng)過提高存儲密度來滿意人工智能等使用的高存儲需求，但一起還要防止成本提高。而3D NAND等存儲器材跟著倉庫高度不斷提高，對填充技能也提出了更高的要求。Puhakka說：“倉庫相關(guān)的制作難題越來越多，芯片制作商也會憂慮花費過高的問題。”在這種情況下，繼續(xù)運用十分了解的資料(例如氧化硅)有助于更好地猜測成本。